نسل دوم پروسه ١٠ نانومتری(LPP١٠)

[ad_1]

نسل دوم پروسه ١٠ نانومتری LPP١٠

ساختار سه بعدی نسل دوم پروسه ١٠ نانومتری FinFET موسوم به LPP١٠ بهبود یافته و در نتیجه تراشه ساخته شده با این پروسه, نسبت به نسل اول LPE١٠ از نظر عملکرد تا ١٠ درصد بالاتر بوده و از نظر مصرف انرژی تا ١٥ درصد کم مصرف تر است


یکی از سریع ترین روش ها برای بهبود عملکرد یک تراشه، تولید آن با پروسه فناوری کوچک تر است. به همین دلیل است که شاهد آن هستیم روند پروسه های تولید از ٢٨ نانومتری به ١٤ نانومتری و اخیرا به سمت ١٠ نانومتری رفته است. در نتیجه این روند، عملکرد بهتر و مصرف انرژی کمتر می شود که به ویژه برای تراشه های موبایل از اهمیت خاصی برخوردار است. در همین راستا، کمپانی سامسونگ الکترونیکس – که حدود یک ماه قبل، از برنامه شرکت برای افزایش تولید چیپ ست های ١٠ نانومتری خبر داده بود- در وب سایت خبری خود اعلام کرد نسل دوم پروسه ١٠ نانومتری FinFET (موسوم به LPP١٠) درحال حاضر شرایط لازم را احراز کرده و آماده تولید است.


به گفته سامسونگ، ساختار سه بعدی نسل دوم پروسه ١٠ نانومتری FinFET (موسوم به LPP١٠) بهبود یافته و در نتیجه تراشه ساخته شده با این پروسه، نسبت به نسل اول (LPE١٠) از نظر عملکرد تا ١٠ درصد بالاتر بوده و از نظر مصرف انرژی تا ١٥ درصد کم مصرف تر است. البته این میزان از بهبود عملکرد را نمی توان خیلی زیاد تلقی کرد، ولی با توجه به کندشدن قانون مور در این اواخر، ١٠ درصد بهبود عملکرد نسبت به سال قبل، چندان هم بد نیست. گفتنی است طبق قانون مور (Moore’s Law) – که برای نخستین بار در سال ١٩٦٥ از سوی گوردون مور از بنیان گذاران شرکت اینتل بیان شد – تعداد ترانزیستورهای روی یک تراشه با مساحت ثابت، هر دو سال به طور تقریبی دو برابر می شود. به گزارش وب سایت mobile، سامسونگ نخستین شرکتی بود که در اکتبر سال ٢٠١٦، تولید انبوه تراشه های ١٠ نانومتری نسل اول (LPE١٠) را آغاز کرد و اسمارت فون های Galaxy S٨ و +S٨ نیز به همین تراشه ها مجهزند. از جمله چیپ ست هایی که تاکنون با پروسه LPE١٠ به تولید رسیده اند، می توان به اسنپ دراگون ٨٣٥ و Centriq ٢٤٠٠ (محصولات کوالکام) و


Exynos ٨٨٩٥ اشاره کرد. به منظور پاسخ گویی به تقاضای طیف وسیعی از مشتریان برای پروسه ١٠ نانومتری، سامسونگ به تازگی نصب تجهیزات تولید را در جدیدترین خط تولید خود به نام


S٣ واقع در شهر هواسئونگ کره آغاز کرده است. انتظار می رود این خط، تا سه ماهه چهارم سال جاری میلادی آماده تولید شود. رایان لی (Ryan Lee)


معاون بخش «Foundry Marketing» (بازاریابی نیمه رساناها) در شرکت سامسونگ، می گوید: «به پشتوانه تجربه موفقیت آمیزمان در تولید LPE١٠، برای حفظ یکه تازی خود در بازار نیمه رساناهای پیشرفته، تولید LPP١٠ را آغاز کرده ایم. LPP١٠ یکی از پروسه های کلیدی ما در زمینه کاربردهای موبایل، پردازش و شبکه – در سطح عملکرد بالا – بوده و سامسونگ همچنان به ارائه پیشرفته ترین فناوری پروسه منطقی ادامه خواهد داد». پس از پروسه LPP١٠، سامسونگ به نسل سوم فناوری ١٠ نانومتری – موسوم به LPU١٠ – روی خواهد آورد. سامسونگ این موضوع را هم زمان با اعلام راه اندازی نسل چهارم پروسه ١٤نانومتری (LPU١٤) بیان کرده بود. اما، با وجود تشابه اسمی، LPU١٠ (مانند LPC١٤) پروسه ای است در جهت بهینه سازی ریزساختار (die shrink) و کاهش هزینه ها، درحالی که LPU١٤ پروسه ای با عملکرد بالا به شمار می رود. اینکه آیا به موازات پروسه هفت نانومتری سامسونگ، نسل دیگری از پروسه ١٠ نانومتری پس از LPU١٠ ارائه خواهد شد یا خیر، هنوز مشخص نیست. بد نیست به این مورد اشاره شود که سامسونگ هنوز قصد دارد برای پروسه هفت نانومتری خود از لیتوگرافی به وسیله اشعه ماورای بنفش حد بالایی – یا در اصطلاح EUV – استفاده کند. این اقدام – در صورت تحقق – برای نخستین بار در صنعت رخ داده و پیشرفت چشمگیری محسوب می شود چراکه با این کار، سامسونگ و سایر سازندگان تراشه قادر خواهند بود تا تراشه های هفت نانومتری و کوچک تر از آن را راحت تر تولید کنند. از دهه ٩٠ تاکنون، فناوری لیتوگرافی EUV همواره مورد بررسی و مطالعه قرار گرفته، اما سرانجام سازندگان چیپ ست به این نتیجه رسیده اند که این فناوری باید در چند سال آینده به کار گرفته شود.

[ad_2]

لینک منبع

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *